【摘要】  目的：观察经皮穴位电刺激（TAES）在颅脑手术围术期对ET、CGRP、SOD、MDA、IL-6、S100β的影响。方法：神经外科择期手术患者50例，随机分为治疗组（E组，n＝25）和对照组（C组，n＝25），E组采用HANS穴位刺激仪从麻醉前30min开始对“合谷、曲池”、“足三里、三阴交”两组穴位实施TAES至术毕。患者麻醉诱导后采用持续吸入七氟醚和间断静脉注射舒芬太尼和维库溴胺维持麻醉。分别在麻醉诱导前（T₀）、颅内操作60 min（T₁）、术毕（T₂）、术后24 h（T₃）、术后48h（T₄）抽取颈内静脉血，测定ET、CGRP、SOD、MDA、IL-6、S100β水平。结果：E组患者ET水平在T₂明显低于C组（P<0.01）；CGRP在两组各时间点比较无明显差异（P >0.05）；SOD在T3组间比较E组明显增高（P<0.05）；MDA在T₃、T₄ C组比E组明显增高（P<0.01）；IL-6在T₁ C组高于E组（P<0.01）；S100b在T₁、T₄ C组明显高于E组（P<0.05）。结论：TAES可以调控ET/CGRP使脑组织微循环得以改善，减少自由基生成和脂质过氧化反应，降低IL-6介导的促炎性反应等，对颅脑手术围术期脑损伤起到保护作用。

   【关键词】  经皮穴位电刺激；颅脑手术；生物活性物质